Detail Penting
Jumlah Pesanan Minimum:50
nomor spesifikasi:THG000-1
Deskripsi Produk
Substrat Silikon Karbida (SiC) adalah material keramik berkinerja tinggi yang terkenal karena konduktivitas termal yang luar biasa, isolasi listrik yang unggul, dan ketahanan terhadap lingkungan ekstrem. Sebagai pembawa fungsional canggih, substrat ini mengungguli substrat keramik dan logam tradisional dalam skenario yang menuntut.
Tersedia dalam bentuk kristal tunggal (4H-SiC, 6H-SiC) dan kelas sinter, substrat SiC memiliki konduktivitas termal berkisar 120-400 W/(m·K), tahan terhadap suhu hingga 1200°C+, dan menunjukkan ketahanan korosi yang kuat. Karakteristik ini menjadikannya ideal untuk aplikasi daya tinggi, suhu tinggi, dan tegangan tinggi.
Aplikasi utamanya meliputi elektronika daya (inverter EV, konverter energi terbarukan), perangkat semikonduktor (MOSFET SiC/IGBT), komponen kedirgantaraan, dan peralatan pemanas industri. Substrat ini dapat disesuaikan melalui pemotongan presisi, pengeboran, pemolesan, atau metalisasi untuk memenuhi persyaratan proyek tertentu, sehingga memungkinkan desain sistem yang lebih efisien dan kompak.
Informasi Dasar
- Apa itu substrat silikon karbida?Ini adalah substrat keramik berperforma tinggi yang terbuat dari bahan silikon karbida (SiC), dengan konduktivitas termal, kekuatan mekanik, dan stabilitas kimia yang luar biasa untuk aplikasi industri dan elektronik yang menuntut.
- Apa saja keunggulan utama substrat SiC dibandingkan substrat keramik/logam lainnya?Dibandingkan dengan alumina (Al₂O₃) atau aluminium nitrida (AlN), SiC menawarkan konduktivitas termal dan kekuatan mekanik yang lebih tinggi. SiC lebih unggul daripada substrat logam dalam hal isolasi listrik dan ketahanan suhu tinggi.
- Apa saja grade utama substrat SiC?Grade umum meliputi 4H-SiC dan 6H-SiC (polikristalin atau monokristalin) untuk aplikasi elektronik, dan SiC tersinter untuk penggunaan struktural/manajemen termal.
Skenario Aplikasi
- Di mana substrat SiC terutama digunakan?Aplikasi utama meliputi elektronik daya (inverter EV, konverter energi terbarukan), perangkat semikonduktor (MOSFET/IGBT SiC), komponen kedirgantaraan, sensor suhu tinggi, dan peralatan pemanas industri.
- Mengapa substrat SiC ideal untuk kendaraan listrik (EV)?Mereka memungkinkan pembuangan panas yang efisien untuk elektronik berdaya tinggi, mengurangi ukuran/berat sistem, dan meningkatkan efisiensi konversi energi—memperpanjang jangkauan dan masa pakai EV.
- Dapatkah substrat SiC digunakan di lingkungan ekstrem?Ya. Mereka tahan terhadap suhu hingga 1200°C+, tahan korosi dari asam/basa (kecuali asam fluorida), dan tetap stabil dalam kondisi kelembapan tinggi atau getaran tinggi.
Spesifikasi Teknis
- Berapa konduktivitas termal substrat SiC?Rentang tipikal: 120-400 W/(m·K), dengan SiC monokristal kemurnian tinggi mencapai 350-400 W/(m·K).
- Berapa dimensi dan ketebalan standarnya?Ketebalan: 0,1mm-5,0mm (standar); 0,05mm-10mm (kustom). Ukuran standar: wafer 2 inci, 4 inci, 6 inci (untuk elektronik); lembaran 100×100mm hingga 300×300mm (untuk penggunaan industri).
- Bagaimana kinerja isolasi listrik substrat SiC?Kekuatan dielektrik ≥ 25 kV/mm; Resistivitas volume ≥ 10¹⁶ Ω·cm (pada suhu ruang), memastikan isolasi yang andal dalam aplikasi tegangan tinggi.
Pemrosesan & Kustomisasi
- Metode pemrosesan apa yang digunakan untuk substrat SiC?Proses umum meliputi pemotongan laser (presisi ±0,02mm), pengeboran berlian (diameter lubang minimum ≥ 0,2mm), pemolesan mekanis kimia (CMP), dan metalisasi (film tipis Ti/Pt/Au, pasta tebal Ag).
- Apakah substrat SiC dapat dikustomisasi?Ya. Kustomisasi meliputi ukuran, ketebalan, hasil akhir permukaan (dipoles/as-fired), pola metalisasi, dan pengeboran lubang (lubang tembus/lubang buta) sesuai desain CAD.
- Berapa kekuatan adhesi metalisasi untuk substrat SiC?Biasanya ≥ 15 N/mm², memastikan ikatan yang stabil dengan komponen elektronik selama penyolderan atau perakitan.
Instalasi & Penggunaan
- Bagaimana cara merekatkan substrat SiC ke komponen lain?Metode yang direkomendasikan: penyolderan suhu tinggi (untuk permukaan yang dimetalisasi), perekatan dengan perekat konduktif termal, atau pengikatan mekanis (sekrup/klip dengan tegangan rendah).
- Tindakan pencegahan apa yang harus dilakukan selama pemasangan?Hindari benturan atau pembengkokan (SiC bersifat rapuh); sesuaikan koefisien ekspansi termal (CTE: 4-6 ppm/°C) dengan material di sekitarnya untuk mencegah tegangan termal; gunakan kondisi ruang bersih untuk aplikasi tingkat elektronik.
- Bagaimana cara merawat substrat SiC dalam penggunaan jangka panjang?Hindari paparan terhadap bahan korosif kuat; bersihkan dengan alkohol atau air deionisasi (hanya kain lembut); periksa secara berkala apakah ada retakan permukaan atau pengelupasan metalisasi.
Kualitas & Keandalan
- Uji kualitas apa yang dilakukan pada substrat SiC?Uji utama: pengukuran konduktivitas termal, inspeksi kekasaran permukaan (Ra ≤ 0,1 μm untuk permukaan yang dipoles), uji kekuatan lentur (≥ 500 MPa), dan deteksi cacat (melalui mikroskopi/uji ultrasonik).
- Faktor apa yang mempengaruhi masa pakai substrat SiC?Tegangan mekanis yang berlebihan, paparan berkepanjangan pada suhu di atas 1300°C, dan kontak dengan zat korosif adalah faktor utama.
- Apakah substrat SiC kompatibel dengan proses manufaktur elektronik standar?Ya. Mereka berfungsi dengan proses penyolderan, wire bonding, dan perakitan PCB—kompatibel dengan lini produksi yang ada untuk elektronika daya.
