Temel Bilgiler
Minimum Sipariş Adedi:50
özellik numarası:THG000-1
Ürün Açıklaması
Kremniy Karbid (SiC) substratları ayırıqsha jıllılıq ötkizgişlik, joqarı elektrik izolyatsiyası häm ekstremal ekologiyalıq turaqlılıq penen tanılğan joqarı önimdilikli keramika materialları. Ilğar funkcional tasıwşı retinde, olar talap etiletin stsenariylarda dästürli keramika häm metal substratlarınan üstin turadu.
Bir kristallı (4H-SiC, 6H-SiC) häm sinterlengen sortlarda bar, SiC substratları 120-400 W/(m·K) aralığında jıllılıq ötkizgişlikke iye, 1200°C+ temperaturalarğa şıday aladı häm küşli korroziyağa qarsı turaqlılıq körsetedi. Bul qasiyetler olardı joqarı quwat, joqarı temperatura häm joqarı kerennew qollanmaları üşin ideal etedi.
Asas qollanmalar küç elektronikası (EV invertorları, jañartılatuğan energiya konvertorları), yarımötkizgiç qurılmaları (SiC MOSFET/IGBT), avia-kosmos komponentleri häm sanaat qızdıruw cihazların qamtıydı. Olar anıq kesiw, tesiw, jılwlaw yamasa metallastıruw arqılı belgili proyekt talaplarına säykes özgerte aladı, bul täwirlik häm jıynaqlı sistema dizaynların mümkin etedi.
Əsas Məlumat
- Silikon karbid substrat nima?Bu, kremniy karbid (SiC) materialından yapılğan yüksek önimli keramika substratıdır, talapkâr sanaat ve elektronika qullanımları içün ayrıqça issılıq ötkerüv, mexanik quvvet ve ximiyalıq turaqlılıq xususiyetlerine iyedir.
- SiC substratlarınıñ başqa keramika/metal substratlardan esaslıq artıqmaçılıqları nelerdir?Alüminiy oksid (Al₂O₃) yaki alüminiy nitrid (AlN) ile qarşılaştırğanda, SiC daha yüksek issılıq ötkerüv ve mexanik quvvet sunar. Elektrik izolyatsiyası ve yüksek temperaturağa çıdamlılıqta metal substratlardan üstün kelir.
- SiC substratlarınıñ esaslıq dereceleri nelerdir?Keng tarqalgan navlar elektron ilovalar uchun 4H-SiC va 6H-SiC (polikristal yoki monokristal) va strukturaviy/issiqlik boshqaruvi maqsadlarida sinterlangan SiC ni o'z ichiga oladi.
Ulanmak senarileri
- SiC altlıqları əsasən harada istifadə olunur?Asosiy qo'llanmalar quvvat elektronikasi (EV invertorlari, qayta tiklanuvchi energiya konvertorlari), yarimo'tkazgich qurilmalari (SiC MOSFET/IGBT), aerokosmik komponentlar, yuqori haroratli sensorlar va sanoat isitish uskunalarini o'z ichiga oladi.
- Nima uchun SiC substratlar elektr transport vositalari (EV) uchun ideal?Ular yuqori quvvatli elektronika uchun samarali issiqlik tarqalishini ta'minlaydi, tizim hajmi/vaznini kamaytiradi va energiya konversiyasi samaradorligini oshiradi—EV masofasi va xizmat muddatini uzaytiradi.
- SiC substratlar ekstremal muhitlarda ishlatilishi mumkinmi?Ha. Ular 1200°C+ gacha bo'lgan haroratga bardosh beradi, kislota/ishqorlardan (gidroflorik kislotadan tashqari) korroziyaga qarshi turadi va yuqori namlik yoki yuqori tebranish sharoitlarida barqarorlikni saqlaydi.
Texniki Xüsusiyyətlər
- SiC altlıqlarının istilik keçiriciliyi nə qədərdir?Tipik aralıq: 120-400 W/(m·K), yüksək təmizlikli tək kristallı SiC 350-400 W/(m·K) dəyərinə çatır.
- Standart ölçülər və qalınlıqlar hansılardır?Qalınlıq: 0.1mm-5.0mm (standart); 0.05mm-10mm (fərdi). Standart ölçülər: 2 düymlük, 4 düymlük, 6 düymlük vaflilər (elektronika üçün); 100×100mm-dən 300×300mm-ə qədər lövhələr (sənaye istifadəsi üçün).
- SiC altlıqlarının elektrik izolyasiya performansı necədir?Dielektrik gücü ≥ 25 kV/mm; Həcm müqaviməti ≥ 10¹⁶ Ω·cm (otaq temperaturunda), yüksək gərginlikli tətbiqlərdə etibarlı izolyasiyanı təmin edir.
Ishlov berish va buyurtma asosida tayyorlash
- SiC substratlari uchun qanday ishlov berish usullari qo'llaniladi?Keng tarqalgan jarayonlar lazer kesish (aniqlik ±0.02mm), olmos burg'ulash (eng kichik teshik diametri ≥ 0.2mm), kimyoviy mexanik sayqallash (CMP) va metallash (Ti/Pt/Au yupqa plyonka, qalin plyonka Ag) ni o'z ichiga oladi.
- SiC substratlarini buyurtma asosida tayyorlash mumkinmi?Ha. Buyurtma asosida tayyorlash o'lcham, qalinlik, sirt silliqligi (sayqallangan/kuygan holatda), metallash naqshlari va CAD dizaynlariga muvofiq teshik burg'ulash (o'tish teshiklari/ko'r teshiklar) ni o'z ichiga oladi.
- SiC substratlari uchun metallash yopishish kuchi qanday?Odatda ≥ 15 N/mm², lehimlash yoki yig'ish paytida elektron komponentlar bilan barqaror bog'lanishni ta'minlaydi.
O'rnatish va foydalanish
- SiC substratlaryny beýleki komponentlere nädip birikdirmeli?Maslahat berilýän usullar: ýokary temperaturaly lehimlemek (metal örtülen ýerler üçin), ýylylyk geçiriji ýelim bilen birikdirmek ýa-da mehaniki berkidmek (az stresli nurbatlar/klipsler).
- Gurnama wagtynda haýsy çäreleri görmeli?Zərbə və ya əyilmədən çəkinin (SiC kövrəkdir); istilik gərginliyinin qarşısını almaq üçün bitişik materiallarla istilik genişlənmə əmsallarını (CTE: 4-6 ppm/°C) uyğunlaşdırın; elektron səviyyəli tətbiqlər üçün təmiz otaq şəraitindən istifadə edin.
- Uzoq muddatli foydalanishda SiC substratlarini qanday saqlash kerak?Kuchli korroziy moddalar ta'siridan saqlaning; spirt yoki deionizatsiyalangan suv bilan tozalang (faqat yumshoq mato); sirt yoriqlari yoki metallash qatlamining ko'chishi uchun vaqti-vaqti bilan tekshiring.
Keyfiyyət və Etibarlılıq
- SiC substratlarynda haýsy hil synaglary geçirilýär?Esasy synaglar: ýylylyk geçirijilik ölçegi, ýerüsti gödekligi barlagy (ýylmanan ýerler üçin Ra ≤ 0.1 μm), egilmek berkligi synagy (≥ 500 MPa) we kemçilikleri anyklamak (mikroskopiýa/ultrases barlagy arkaly).
- SiC substratlarynyň hyzmat möhletine haýsy faktorlar täsir edýär?Aşa mehaniki stres, 1300°C-den ýokary temperaturalara uzak wagtlap sezewar bolmak we poslaýjy maddalar bilen kontakt esasy faktorlardyr.
- SiC substratlari standart elektron ishlab chiqarish jarayonlari bilan mos keladimi?Hawa. Olar lehimlemek, sim birikdirmek we PCB ýygnamak prosesleri bilen işleýärler—güýç elektronikasy üçin bar bolan önümçilik liniýalary bilen utgaşýar.
